智通财经APP获悉,中银国际发布研报称,步入2024年,DRAM及NAND价格涨势延续,利基型存储拐点或已现,在大宗品涨价氛围带动,同时受惠业者减产效益全面发酵,渠道商库存水位明显下降背景下,NOR Flash等利基存储亦开始酝酿涨价。展望全年,伴随存储原厂复苏态势及以AI手机、AIPC等为代表的终端创新推出,存储板块“周期+成长”双重逻辑有望持续共振,同时大基金三期或进一步发力国产存储,行业或迎来板块性机会。

中银国际主要观点如下:

存储板块2023年报及2024一季报综述

2023年存储设计业绩承压,但季度环比已现修复态势,模组收入同比高增,但利润低迷。24Q1存储设计及模组都趋于复苏。从收入端来看,存储IC设计板块2023年全年实现营业收入40.47亿元,同比下降0.09%。存储模组板块实现营收58.68亿元,同比增长75.15%。从利润端来看,存储IC设计板块2023年全年实现归母净利润7.23亿元,同比下降84.90%。存储模组板块实现归母净利润-14.71亿,同比大幅下滑。相较收入端的下滑,利润端下滑更加明显。

中银国际表示,步入2024年,24Q1存储设计与模组板块均呈现收入与利润的同环比修复,呈现出景气好转趋势。特别是存储模组厂受益大宗价格起涨,业绩弹性释放明显。

利基市场有望伴随大宗起涨,终端需求呈弱复苏态势

价格方面,DRAM及NAND价格涨势延续,利基型存储拐点或已现,在大宗品涨价氛围带动,同时受惠业者减产效益全面发酵,渠道商库存水位明显下降背景下,NOR Flash等利基存储亦开始酝酿涨价。库存方面,原厂库存水位渐趋于好转。

供给方面,美光,三星资本开支低位运转,海力士加码投入HBM,到今年底,原厂约80% DRAM产能切换至DDR5,随着低世代DRAM现货低价资源消耗殆尽,原厂库存水位下降,DDR4供应或将陷入短缺。需求方面,智能终端弱复苏态势建立,传统消费电子增长涌现。NOR Flash在智能家电领域应用前景广阔,伴随家电回暖NOR或再迎新增长。

I需求高景气持续,数据中心复苏在望

24年HBM3E将趋向主流,HBM4正加速赶来,受益AI需求的发展,三大存储原厂动态不断,SK海力士、三星、美光均表示近两年HBM产能已售罄。随着HBM3E和HBM4的持续推进,带动行业生态发生变革。受全球主要云计算厂商新一轮资本开支增长以及对于高端AI服务器需求增加的影响,数据中心有望迎来修复性增长,配套内存接口芯片或迎来复苏增长机会。

建议关注标的:

利基存储:兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、东芯股份(688110.SH)等。

内存接口芯片:澜起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)。

HBM产业链:通富微电(002156.SZ)、赛腾股份(603283.SH)、华海诚科(688535.SH)、联瑞新材(688300.SH)等。

国产存储原厂配套设备、材料:北方华创(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)、拓荆科技(688072.SH)、雅克科技(002409.SZ)等。

风险因素:利基型存储复苏不及预期、终端创新应用渗透率提升不及预期、HBM/DDR5竞争加剧、国产存储产业链配套验证不及预期。

本文源自智通财经网

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