快科技5月25日消息,有网友给手机晶片达人留言:骁龙8 Gen4不会再现骁龙888那种情况吧?

对此,手机晶片达人回复:骁龙8 Gen4采用台积电3nm工艺,不是三星。

众所周知,骁龙888终端普遍存在过热问题,当时所有矛头都指向了三星5nm工艺制程。

由于当时苹果吃掉了台积电的大部分5nm产能,高通只能退而求其次选择三星作为代工厂。

而作为首批使用三星5nm工艺的芯片,骁龙888的发热被指与三星5nm工艺问题有关。

据数码博主测评,在相同条件的游戏体验后,麒麟9000和苹果A14两款台积电5nm芯片的平均芯片功耗为2.9W和2.4W,而采用三星5nm技术的骁龙888为4.0W。

从晶体管密度上来说,台积电的5nm工艺能达到1.73亿颗晶体管,三星的工艺更为落后,5nm工艺仅达到1.27亿颗晶体管。

因三星工艺问题,从骁龙8+ Gen1开始,高通转投台积电怀抱,骁龙8+ Gen1、骁龙8 Gen2、骁龙8 Gen3等旗舰平台都选择台积电代工,其市场表现良好。

即将在今年10月份亮相的骁龙8 Gen4也会选择台积电代工,而且首次使用台积电3nm工艺制程。

据爆料,高通骁龙8 Gen4使用的是台积电最新一代3nm制程N3E,N3E修复了N3B上的各种缺陷,设计指标也有所放宽,对比N5同等功耗,性能提升15-20%、同等性能功耗降低30-35%,逻辑密度约1.6倍、芯片密度约1.3倍,表现值得期待。

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